Charakterisierung von CdS/CdTe-Geräten für die Röntgenabtastung

Die Detektoren für ionisierende Strahlung hängen hauptsächlich von Materialien ab, die bereits vor Jahrzehnten hergestellt wurden. Sie wurden mit Einkristall-Szintillatoren aus Cäsium und Natriumiodid (CsI, NaI) oder Halbleitern wie Silizium (Si), hochreinem Germanium (HPGe) und gasgefüllten Röhren hergestellt. Die vorhandenen Materialien haben jedoch einige Nachteile, NaI(Tl) hat eine schlechte Auflösung, (Si) hat einen schlechten Wirkungsgrad, während (HPGe) ein Kühlsystem erfordert, und alle diese Materialien sind teuer. In den letzten Jahren wurden internationale Anstrengungen unternommen, um eine Reihe von Verbindungshalbleitern mit großer Bandlücke und hoher Atomzahl für Röntgen- und Gammastrahlungsdetektoren zu entwickeln. Unter den Verbindungshalbleitern ist Cadmiumtellurid (CdTe) eines der vielversprechendsten Materialien für Strahlungsdetektoren mit guter Energieauflösung, hoher Detektionseffizienz und Betrieb bei Raumtemperatur. In diesem Buch wurde ein gestapelter Röntgendetektor hergestellt, bei dem Mo/CdTe/CdS/FTO-Geräte zusammengestapelt und als ein einziger Detektor betrieben werden.