Kristallwachstum und -charakterisierung

Das Aufwachsen eines Halbleiters auf einem anderen ist als Heteroepitaxie-Verfahren bekannt, das die Herstellung einer breiten Palette von so genannten heteroepitaktischen Bauelementen ermöglicht, wie z. B. Leuchtdioden mit hoher Helligkeit, Laser und Hochfrequenztransistoren. Die Entwicklung von Bauelementen aus anderen Materialien beruht auf der Wahl des Substrats und wird durch die Kombination Epitaxieschicht/Substrat dargestellt. Diese Kombination erfordert ein Höchstmaß an chemischer und kristallografischer Kompatibilität, wobei die kristallografische Orientierung der Schicht genau durch den Substratkristall bestimmt wird. Die Oberflächenstruktur des Substratkristalls kann einen wichtigen Einfluss auf die Eigenschaften des epitaktischen Kristalls haben. Andererseits unterscheidet sich die Homoepitaxie von der Heteroepitaxie, wenn Substrat und Schicht die gleiche chemische Zusammensetzung haben, wie z. B. GaAs/GaAs, und wir sprechen von Heteroepitaxie, wenn die Schicht und das Substrat eine unterschiedliche chemische Zusammensetzung haben, wie z. B. InP/GaAs. Diese Materialien werden zur Herstellung von hochwertigen LEDs und Transistoren mit hoher Mobilität verwendet.

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