Plasmaunterstützte Atomlagenabscheidung von hochwertigem Galliumnitrid

In diesem Buch werden die Verfahren und Methoden zur Herstellung hochwertiger Galliumnitrid-Dünnschichten auf verschiedenen Substraten mit Hilfe der plasmagestützten Atomlagenabscheidungstechnologie untersucht. Durch die Einführung einer Aluminiumnitrid-Zwischenschicht und einer Stickstoff-Plasma-Vorbehandlung auf Silizium-Substraten konnte der Gehalt an Sauerstoffverunreinigungen in den Filmen erheblich reduziert und die Qualität der Grenzflächen verbessert werden. Auf Saphirsubstraten wurde hochwertiges einkristallines Galliumnitrid bei niedrigen Temperaturen durch eine Kombination aus Einbrennen und Stickstoffplasmavorbehandlung epitaktisch gezüchtet. Polykristalline Galliumnitridschichten mit scharfen Grenzflächen wurden direkt auf Quarzsubstraten abgeschieden, und ihre Anwendung in Perowskit-Solarzellen führte zu einer erheblichen Steigerung der Umwandlungseffizienz. Diese Forschungsarbeit liefert wichtige experimentelle Grundlagen und methodische Unterstützung für die kontrollierbare Herstellung von hochwertigen Galliumnitrid-Dünnschichten bei niedrigen Temperaturen und ihre Anwendung in optoelektronischen Geräten.